傲世皇朝平台怎么样！说明：薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造，形成可

　　产生电压的薄膜厚度仅需数 ^m,因此在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量 （厚度可

　　低于硅晶圆太阳能电池 90%以上），目前转换效率最高以可达 13%,薄膜电池太阳电池除了平面之外，也因为具

　　有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大， 可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份， 在薄膜太阳电池制造

　　上，则可使用各式各样的沈积（deposition）技术，一层又一层地把p-型或n-型材料长上去，常见的薄膜太阳电池有非晶硅、CuInSe2（CIS）、CuInGaSe2（CIGS）、和CdTe..等。

　　薄膜太阳能电池可靠度试验规范： IEC61646（薄膜太阳光电模块测试标准卜CNS15115（薄膜硅陆上太阳光电模块

　　A-SiAmorphusSilicon 非晶硅 利用溅镀或是化学气相沉积方式在玻璃或金属基板上生成薄膜的薄膜太阳能生产方式。

　　BIPV Building-integratedphotovoltaic 一体型太阳能电池模板 BIPV是结合太阳能发电与建筑物外墙两项功能， 将太阳电池 模块（module）或数组（array）整合、设计并装置在建筑物上的双用途产品。

　　CdTeCadmiumtelluride 硅化镉 CdTe属于化合物半导体，电池转换效率不差，若使用耐高温（约600C）的硼玻璃作为基板转换效率可达16%而使用不耐高温但是成本较低的钠玻璃做基板也可达到12%勺转换效率，转换效率远优于非晶硅材料。

　　CEI904 具光谱照射光参考数据之太阳原件量测原理，等同 IEC904

　　CISCopperIndium Diselenide 硒化锢铜 属于化合物半导体，这样的材料吸光范围广稳定性好，若是用聚光装置辅助，转换效率可达 30%标准环境测试下最高 也可达到19.5%,模块的线%

　　CIGSCopperIndium GalliumDiselenide 铜锢钱硒 属于化合物半导体，这样的材料吸光范围广稳定性好，若是用聚光装置辅助，转换效率可达 30%,标准环境测试下最高 也可达到19.5%,模块的线%

　　Nc-SiNanocrystalline Silicon 微晶硅 是非晶硅的改良材料，其结构介于非晶硅和晶体硅之间，主 要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子，因此同时具有非晶硅容易薄膜化，制程便宜的特性，以及晶体硅吸收光谱广，且不易出现光劣化效应的优点，转换效率也较高。

　　NOCTNominalOperating CellTemperature 标准操作电池温度 在标准参考环境（SRE）下，开架式安装模块之太阳能电池之平衡平均接面温度。

　　Mc-Si(Microcrystallin eSilicon) 微晶硅 是非晶硅的改良材料，其结构介于非晶硅和晶体硅之间，主 要是在非晶体结构中具有微小的晶体粒子，因此同时具有非晶硅容易薄膜化，制程便宜的特性，以及晶体硅吸收光谱广，且不易出现光劣化效应的优点，转换效率也较高。

　　PECVDPlasmaEnhanced ChemicalVapor Deposition 电浆体增强化学气相沈积 在二个电极板间外加一个射频电压， 于是在二个电极之间的 气体会解离而产生电浆，使用电浆的辅助能量，使得沈积反应的温度得以降低。

　　SRE 标准参考环境 倾斜角度（与水平成45度）、总照射度（800WmA-2）、周围温度（20C）、风速（1msA-1）、电力负载（无开路）。

　　STC 标准测试条件 电池温度（25C）、照射度（1000WmA-2）符合规范CEI904-3所要求之参考太阳能光谱之照射分布。