傲世皇朝平台，公司主要产品包括高压超级结以及中低压屏蔽栅 MOSFET 产品，广泛应用于充电桩、快速充电器、电机驱动、光伏逆变器等下游行业，是国内少数具备从专利到量产完整经验 的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率 器件产品领域实现了国产化替代

　　公司产品线丰富，客户覆盖各应用领域头部厂商。截止 1H22 公司共计拥有产品规格型号 1958 款；其中高压超级结 MOSFET 产品（含超级硅 MOSFET）1150 款（覆盖 工作电压范围 500V-950V），中低压屏蔽栅 MOSFET 产品 710 款（覆盖工作电压范 围 25V-200V），TGBT 产品 98 款（600V-1350V），客户涵盖各应用领域头部厂商。

　　高压超级结占 80%以上，6.36 亿的营收，储能逆变超级硅二代已经被 enphase 使用器 ，微型逆变器。

　　从行业上来看比较均衡，前三季度光伏 20% ，OBC 20%，充电桩和工业电源 15%-20%。

　　在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞特锐德、永联科技等，5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等。在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份美的、创维、康佳等。

　　公司采用Fabless模式，不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节。报告期内，公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等，合计采购金额占当期采购总额的比例分别为 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%，其中向第一大供应商华虹半导体采购金额占当期采购总额比例分别为83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。

　　经销+直销为主，直销的比例在逐年上升，也意味着公司的知名度和影响力在逐步上升。

　　联合创始人、董事长龚轶，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，曾任美国超微半导 体公司工程师、德国英飞凌科技汽车电子与芯片部门技术专家；联合创始人、首席技术官王鹏飞，博士毕业于德国慕尼黑工业大学，曾担任德国英 飞凌科技存储器研发中心研发工程师、德国奇梦达公司技术创新和集成部 门研发工程师、复旦大学微电子学院教授。

　　从成长性来看，几个功率器件的公司来看，东微半导的增速是最快的，与东微体量较小有一定的关系，但成长性是比较好的。22年度来看是斯达半导的增速大于东微半导大于新洁能，主要是因为斯达半导所在的IGBT行业的供不应求，景气度更高。

　　利润端东微的增速远超营收增速，21年由于缺芯整个芯片行业和功率器件行业增速都非常高，从22年来看，新洁能的增速明显逐季下滑，但东微和斯达依然能维持一个比较好的增速，主要有几个原因，第一个是东微产品的竞争力更强，第二个是东微所处的行业的景气度持续性较强，第三个是东微还有新的产品快速增长。

　　现金流来看，东微因为前几年刚起步，现金流并不稳定，随着规模起来后现金流还比较稳定。

　　毛利率来看，东微的毛利率是低于同行业的，斯达半导的毛利率是最稳定的，东微自身随着规模起来后毛利率也是逐步提升，截至22年Q3毛利率为33.72%，新洁能为38%。未来随着东威规模的持续提升，毛利率大概率还有上升的空间，但中短期可能会受到供需关系的影响。

　　三项费用率趋势是下降的，销售费用率下降的比较多，研发费用率保持稳定和新洁能差不多，斯达的研发费用率是最高的。

　　从净利率来看，东微的净利率和毛利率趋势保持一直，新洁能由于21年22年有大额的激励费用所以净利率趋势和另外两个相反，抛开股权激励的话新洁能的净利率应该还是要高于东微的。而东微19年的净利率下滑也是因为18、19年产生的股权激励费用。这三个公司的净利率因为景气度的原因都达到了历史最高点，短期来看净利率可能会有一定的承压，但长期我觉得东微未来的净利率还是有提升空间的。

　　ROE的趋势和净利率保持一致，主要也是净利率来拉动。22年上市后ROE会有摊薄。可以看到这三个公司的ROE都是非常高的，即使没有景气度驱动的时期也是保持着非常高的ROE水平。

　　功率分立器件主要产品是MOSFET、二级管、IGBT、晶闸管等，根据IHS数据，2020年结构占比是MOSFET（36%）＞二级管（31%）＞IGBT（27%）＞晶闸管（3%）。

　　高压超级结 MOSFET 主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等，中低压屏蔽栅 MOSFET 主要下游应用为电动工具、逆变器、UPS 电源、消费电子充电器、新能源车的底盘和车身控制等。

　　全球及我国的MOSFET的市场规模如下，根据中金企信国际咨询统计数据，2021年全球平面MOSFET的市场规模约为20.8亿美元，预计2025年可增长至30.2亿美元；2021年全球沟槽型MOSFET的市场规模约为19.0亿美元，预计2025年可增长至23.9亿美元；2021年全球超结MOSFET的市场规模约为6.8亿美元，预计2025年可增长至10.7亿美元。

　　车用功率器件的快速增长主要是源于电动化以及 800V 高压平台的渗透率逐步提高。电动化和智能化提升量，800V高压平台大幅提升价值量。到 2025 年预计全球新能源车对 MOSFET的需求可高达 41.3 亿个。国金测算对应车用超级结 MOSFET 市场规模达 42.55 亿元，2022~2024 年 CAGR 达19.75%。

　　目前超级结与超高压 MOSFET 国产化率较低，国产替代仍有较大空间。根据芯谋研究数据，21 年中国 MOSFET 市场国产化率达到 30.5%，然而超级结由于技术壁垒 较高国产化率仅 18.1%，超高压 MOS 国产化率为 23.6%，均低于平均水平；因此， 超级结 MOSFET 及超高压 MOS 仍为国内厂商未来发力的重要方向。

　　根据中金企信国际咨询统计数据，拥有一件以上智能家居产品的家庭比例将由2021年的15%上升至2025年的接近20%，智能家居市场规模将从2021年的1,230亿美元增长至2025年的1,730亿美元，亚太地区将成为最大的智能家居市场，市场前景广阔。

　　充电桩这块虽然增速比较快，但MOS的规模空间并不大，充电桩的MOS还是具有一定的壁垒的，国金的测算是对应充电桩用超级结 MOSFET 的市场规模为 1.18 亿元， 2022~2024 年 CAGR 达 25.15%。

　　IGBT的规模相比MOS增速要略微快一些，主要应用领域在新能源车和光伏储能的逆变器，其中 MOSFET 为低功率段主要器件，IGBT 单管为中功率段主要器件，IGBT 模块则适用于高功率段应用。

　　2022~2024 年全球光伏逆变器新增装机 量分别为 220、350、430GW，2022~2024 年 CAGR 达23.19%； 2022~2024 年中国光伏逆变器新 增装机 量分别为 5,488、9,000 和14,000MW，2022~2024 年 CAGR 达 36.64%。光伏行业的 IGBT 增量主 要来源于两个方面：1）新增需求：受益于全球光伏新增装机量高速增长； 2）替换需求：逆变器中的电子元器件受内部环境、器件温度和电流谐波的 影响，使用寿命往往低于电站运营周期（尤其是早期逆变器产品），存在存量市场的替换需求。

　　从中短期来看，IGBT依然是一个比较紧缺的状态，对于东微来说也是其TGBT快速增长的时期。

　　平面MOSFET方面，国内知名MOSFET厂商有近百家，其中2021年MOSFET功率器件营收超亿元的中国大陆企业有21家，剔除产品布局以沟槽型MOSFET或超结MOSFET为主的企业后，主营平面MOSFET的国内企业主要包括安世半导体（已被闻泰科技收购）、华润微士兰微华微电子、深爱半导体、捷捷微电扬杰科技等。

　　沟槽型MOSFET方面，国内主要从事沟槽型MOSFET销售和研发的厂商包括新洁能士兰微华润微东微半导捷捷微电扬杰科技等。超结MOSFET方面，国内主要从事超结MOSFET销售和研发的厂商包括东微半导、新洁能、士兰微、华润微、捷捷微电等。

　　MOSFET的主要技术发展维度包括器件结构、制程、工艺、材料等多个方面，MOSFET的发展不高度依赖于先进制程工艺，更侧重于打造特色平台，在结构、工艺及材料方面不断优化。而东微在结构方面有独特的优势。

　　MOSFET和IGBT的竞争格局如下所示，整体来看国内厂家的市占率还是很低。

　　在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。根据 Omdia 数据测算，2020 年全球高压超级结 MOSFET 的市场规模预计为 9.4 亿美元，公司市场份额为 3.8%；2020 年中国高压超级结MOSFET 市场规模经估算约为 4.2 亿美元，公司市场份额为 8.6%。 中低压 MOSFET 市场方面，2020 年度全球中低压 MOSFET 产品的市场规模为 52.4 亿 美元，公司市场份额为 0.2%；2020 年度中国中低压 MOSFET 产品的市场规模为 24.1 亿美元，公司市场份额为 0.4%。整体上看，公司的市场份额仍处于较低水平。

　　扬杰科技是IDM和Fabless并行的模式，它的 IGBT、MOSFET 和 SiC 等新产品目前也采用了 Fabless 模式。新洁能东微半导是Fabless模式，其余的功率器件玩家基本都是IDM模式为主。

　　在应用领域方面，公司的产品以工业级应用为主，包括新能源汽车直流充电桩、 5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。由于工业级应用对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用，其产品单价也较消费级应 用的产品单价更高。根据 Omdia 数据，2019 年中国市场 MOSFET 功率器件平均销售 价格为 1.04 元/颗，全球市场为 1.25 元/颗。同行业可比上市公司新洁能2019 年度功率器件成品的平均销售单价为 0.44 元/颗，其中超级结 MOSFET 平均销售单价为 1.67 元/ 颗。相比之下，东微半导体 2019 年度功率器件成品的整体平均销售价格为 2.19 元/颗， 其中高压超级结 MOSFET 器件成品平均销售价格为 2.36 元/颗，高于行业平均以及可比公司水平。

　　从公司产品的应用市场来看，公司整体保持着较为稳健的经营风格，并没有完全迎合市场短期需求去经营，各个应用领域的占比比较均衡。下游的光伏、储能、新能源车、充电桩、工控领域都是处在不错的成长阶段。从东微的增长拆分来看，过去光伏和车载充电机的增速是最快的。

　　从产品端来看，22年H1公司的 Tri-gate IGBT 产品实现营业收入 1,710.46 万元, 约为上年同期收入水平的 70 倍以上，是增长最快的产品。但对应IGBT的市场空间来看，还是很小的营收规模，未来随着产品迭代有望持续快速增长。公司的TGBT产品的目标还是会进入到新能源车的主驱领域。

　　公司的超级硅 MOSFET 产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。相较于氮化镓功率器件产品，公司 的超级硅 MOSFET 产品采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等 技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、 工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC 适配器等领域。目前超级硅二代已经被 enphase 使用，未来国内的微逆厂家预计也会使用，微逆领域的壁垒还是比较高的。关注超级硅的营收放量情况。

　　公司的 Hybrid-FET 器件及其工艺技术处于国内领先水平。基于此核心技术，公司 的 Hybrid-FET 器件兼具 IGBT、超级结 MOSFET 等功率器件的优点，目前已将该技术申请专利并开始产业化。

　　从igbt和MOS的区别来说，IGBT是一个MOS加上一个二极管组成的，所以相对来说MOS结构比IGBT要简单，如果未来SIC的MOS性能上能覆盖IGBT的一部分应用领域的话会有一定的替代。未来随着800V高压平台渗透率的提升，SiC MOSFET 有望代替 Si 超级结（SJ MOS）及IGBT，市场规模快速增长。在高压平台下，其价值量是SI基的2~3倍。

　　SiC MOSFET 器件因具有以下特性，在 800V 环境中更具优 势： 1）由于SiC 耐高压，其制成的器件可耐受的击穿电压受 Rdson 制约情况变小，800V 耐压等 级下，可以继续采用 MOS 结构制造开关管。1200V 的 MOS 相比同电压等级IGBT 开关速度 快，导通损耗低，提升开关频率后，可以降低系统谐波损耗，并降低电感体积（线圈匝数呈现 减少），因此我们认为 SiC MOS 大大增加了系统的功率密度及能量转化效率； 2）SiC 耐高温能力强，从温度敏感性上来看，不会发生像 IGBT 一样的电流随温度升高而衰 减，因此对于应用 SiC MOS 的电力电子系统来看，所需配备的散热器成本也有望呈现减小。 此外，在高压高温高湿环境可靠性也强于 IGBT。

　　各个公司对于SIC的布局情况如下，相对而言斯达是走的最快的，但是东微在MOS领域更有优势，公司于 2021 年7 月立项了第三代半导体 SiC 功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅的为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发，现在进展好像并不是太快，未来需要持续关注。

　　1.斯达：公司车规级 SiC 模块在新能源汽车行业开始大批量装车应用。 2.宏微：汽车SiC碳化硅模块稳步推进，公司1500A/1200V SiC模块产品已完成设计开发，并且通过车用客户端测试验证。 3.士兰微：公司已完成车规级 SiC-MOS器件研发，正做全面的可靠性评估，将要送客户评价。 4.扬杰：公司现已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品，SiC MOS已取得关键性进展。 5.新洁能：1200V 新能源汽车用SiC MOS 平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET 首次流片验证完成。 6.闻泰：碳化硅在 2022 年都将逐步进入客户验证、试产或量产阶段。 7.东微：部分车载电子客户使用公司开发的并联 SiC 二极管的高速系列 TGBT，整体进展顺利。 8.比亚迪半导体：公司是全球首家实现SiC三相全桥模块大批量装车的企业，已在比亚迪高端车型批量应用

　　国产替代方面，不管是IGBT还是MOS国内的国产化率都不高，特别是在车端等要求较高的领域还有很大的空间，虽然公司的主要产品是高压超级结，但在中低压领域也有较大的空间。车端国内目前占比非常小，不到 10%。未来汽车中低压 MOS 国产空间还是比较大的。

　　估值端来看，斯达半导的PE为81倍，PB是10.73。市场给到斯达半导这么高的估值有两个原因，一个是斯达半导的IGBT是国内做的最好的，而且我记得是国内唯一做进车规主驱的IGBT；另一个是整个行业来看供不应求还会持续一段时间，景气度比较好。这两点是造成了本身估值溢价外的额外溢价。

　　从东微半导来看，PE为61倍，PB是5.67。MOS产品东微半导是国内的头部企业，特别是在超级结领域可以说是国内做得最好的。另外公司的TGBT产品也是有望能进入到主驱领域的，是几个产品里面成长性最好的。对应22年的PE大概在57倍左右，对于23年的增长情况管理层透露出的信息还是比较乐观的。

　　新洁能IGBT主要是光伏领域，准备开始做模块，超结MOS的营收还是很小的，汽车的MOS料号也在逐步增多，大直流充电桩这些对MOS要求会高一些，新洁能这块的营收也比较小，还有一些二极管。

　　新洁能上市时间也比较短，抛开刚上市那会，新洁能的最低PE是38倍，PB为5.06。

　　下面是整个分立器件的估值情况，历史最低估值是33倍，PB在18年底部时为2.68。因为有分立器件行业有部分公司是IDM，而有一些又是含有其它业务的。通过对比来看，东微半导的估值明显是要高于行业估值水平的，所以一个可判断的坚实底部就是PE要高于33倍的，PB要高于2.68。而东微半导是设计公司，所以在PB上与行业的水平会拉的更宽一些。叠加整个分立器件的历史成长来看，虽然是具有周期性，但相对较弱，基本保持了很不错的增速。

　　新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收 入的比重约 15%，较上年同期增长约 6%；各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比 重约 15%，较上年同期增长约 63%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重约 20%，较上 年同期增长逾 400%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重逾 21%，较上年同期增长约 500%。22年主要拉动还是靠新能源车和光伏，从产品端来看高压超级结 MOSFET仍是主要动力，TGBT体量还小，超级硅仍然没有什么起色。整体感受上东微的研发效率还是比较高的，Si2C MOSFET 年报中有了更多的描述。部分使用了 SiC 衬底，减少了 SiC 材料的用量。Si2C MOSFET 克服了传统 SiC MOSFET 成本高和 Vth 飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近 SiC MOSFET 优秀的反向恢复能力，能够取代一部分 SiC MOSFET 的应用。这个是和马斯克前段时间的说法比较接近，从描述来看东微的这个产品是追求的更高效率和更低成本，估计在快充领域和数据中心都有潜力。未来TGBT、超级硅、碳方硅都是重要的观察点。$东微半导(SH688261)$

　　实现营业总收入 111,636.35 万元，较上年同 期增长 42.74%；营业利润 32,686.62 万元，较上年同期增长 93.65%；利润总额 32,710.09 万元，较上年同期增长 93.79%；归属于母公司所有者的净利润 28,435.63 万元，较上年同期增长 93.57%；归属于母公司所有者的扣除非经常性 损益的净利润 26,778.76 万元，较上年同期增长 90.59%业绩落在预告中下限，其实也是无关紧要的。东微快报中提到公司在第三代半导体领域取得了重要业务进展，发明了 Si2 C（硅方碳）MOSFET 器件，可以与传统 SiC MOSFET 器件互相替代。这个还真不知道是个什么，但估计是要比sic器件便宜些$东微半导(SH688261)$

　　重点把握新能源汽车智能化、集IGBT+SiC MOS于一体的车规级芯片半导体好股等。